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通過(guò)采用最先進(jìn)的溝槽柵工藝技術(shù)和完美的結構設計， 紫光微電子的MOSFET實(shí)現功率密度最大化， 從而大幅度降低電流傳導過(guò)程中的導通功率損耗。 同時(shí)， 電流在芯片元胞當中的流通會(huì )更加均勻穩定，其有效降低了柵極電荷 (Qg)，尤且是柵極漏極間的電荷 (Qgd)，從而在快速開(kāi)關(guān)過(guò)程中降低開(kāi)關(guān)功率損耗。 通過(guò)采用這些先進(jìn)的技術(shù)手段， MOSFET的FOM (Qg x Rdson)得以實(shí)現行行業(yè)內的領(lǐng)先水平。