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中低壓Trench MOS

紫光的中低壓功率場(chǎng)效應晶體管運用先進(jìn)的Trench制程技術(shù)，具有較強的雪崩能力。

推挽電路采用兩個(gè)參數相同的功率MOS,以推推挽方式存在電路中，各負責正負半周的波形，電路工作時(shí)，對稱(chēng)的功率mos每次只有一個(gè)導通，所以導通損耗小效率高，推挽電路既可以向負載灌電流，也可從負載抽取電流，應用于低電壓大電流的場(chǎng)合

600V帶FRD的Multi-EPI SJ MOS

帶FRD的Mutli EPI-SJ MOS可用于諧振全橋電路應用，具有高速快恢復二極管（FRD），短的反向恢復時(shí)間（Trr），適用于當再生電流流經(jīng)主體二極管時(shí)會(huì )導致恢復損耗的應用，更強的雪崩能力。

逆變電路工作原理開(kāi)關(guān)T1、T4閉合，T2、T3斷開(kāi): 開(kāi)關(guān)T1、T4斷開(kāi)，T2、T3閉合當以頻率fS交替切換開(kāi)關(guān)T1、T4和 T2 、T3 時(shí) ， 則 在 負載電 阻 R上 獲 得交變電壓波形(正負交替的方波)，其周期 Ts=1/fS，這樣，就將直流電壓變成了交流電壓