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推薦系列

650V/700V Multi-EPI SJ MOS

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

"基于革命性超結(jié) (SJ) 原理設(shè)計(jì),使用先進(jìn)的多次外延(Multi-EPI)工藝技術(shù)制造,擁有更優(yōu)的EMI特性,更容易通過(guò)安規(guī)認(rèn)證;超低導(dǎo)通電阻和結(jié)電容,有效降低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗,效率高,發(fā)熱小,可以適應(yīng)更高的開(kāi)關(guān)頻率;DFN超薄外形封裝,可應(yīng)用于小體積PD快速充電器。 "


系統(tǒng)概述

反激是指反激高頻變壓器隔離輸入輸出回路的開(kāi)關(guān)電源,mos導(dǎo)通時(shí),輸出變壓器充當(dāng)電感,電能轉(zhuǎn)化為磁能,此時(shí)輸出回路無(wú)電流,相反,當(dāng)mos關(guān)斷時(shí),輸出變壓器釋放能量,磁能轉(zhuǎn)化為電能,輸出回路有電流。反激電路元器件少,電路簡(jiǎn)單成本低體積小可同時(shí)輸出多路互相隔離的電路。

系統(tǒng)原理圖
產(chǎn)品列表
產(chǎn)品系列產(chǎn)品型號(hào)
Multi-EPI SJ TPG65R125MH
TPG65R175MH
TPG65R280MH
TPG65R360M
TPG65R365MH
TPG70R125MH
TPG70R600M


推薦系列

DT MOS/Trench MOS

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

DT MOSFET是采用了具有降低表面電場(chǎng)(Reduced Surface) 原理的屏蔽柵(或稱(chēng)為分立柵)MOSFET技術(shù)(Shield/Split Gate )的Trench MOSFET,從而降低器件的比導(dǎo)通電阻(Rsp)和柵極電荷(Qg)。

Trench MOS優(yōu)化了芯片的元胞設(shè)計(jì)和版圖布局,可以提高器件各個(gè)方向的電流均勻性,有效防止在極限工作下部分區(qū)域的提前失效,增強(qiáng)了產(chǎn)品功率密度和可靠性

系統(tǒng)概述

同步整流Rectification MOSFET在開(kāi)關(guān)電源中用于提高電源的效率,它替代輸出整流二極管,利用其導(dǎo)通內(nèi)阻低的特點(diǎn)彌補(bǔ)二極管導(dǎo)通損耗高的缺陷。

系統(tǒng)原理圖
產(chǎn)品列表
產(chǎn)品系列產(chǎn)品型號(hào)
DT TSD120N10AT
TSG120N10AT
TSP120N10AT
TSG048N10AT
Trench TTP145N08A
TTB145N08A
TMB140N08A
TMB140N10A