650V/700V Multi-EPI SJ MOS
"基于革命性超結 (SJ) 原理設計,使用先進(jìn)的多次外延(Multi-EPI)工藝技術(shù)制造,擁有更優(yōu)的EMI特性,更容易通過(guò)安規認證;超低導通電阻和結電容,有效降低導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗,效率高,發(fā)熱小,可以適應更高的開(kāi)關(guān)頻率;DFN超薄外形封裝,可應用于小體積PD快速充電器。 "
反激是指反激高頻變壓器隔離輸入輸出回路的開(kāi)關(guān)電源,mos導通時(shí),輸出變壓器充當電感,電能轉化為磁能,此時(shí)輸出回路無(wú)電流,相反,當mos關(guān)斷時(shí),輸出變壓器釋放能量,磁能轉化為電能,輸出回路有電流。反激電路元器件少,電路簡(jiǎn)單成本低體積小可同時(shí)輸出多路互相隔離的電路。
產(chǎn)品系列 | 產(chǎn)品型號 |
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Multi-EPI SJ | TPG65R125MH |
TPG65R175MH | |
TPG65R280MH | |
TPG65R360M | |
TPG65R365MH | |
TPG70R125MH | |
TPG70R600M |
DT MOS/Trench MOS
DT MOSFET是采用了具有降低表面電場(chǎng)(Reduced Surface) 原理的屏蔽柵(或稱(chēng)為分立柵)MOSFET技術(shù)(Shield/Split Gate )的Trench MOSFET,從而降低器件的比導通電阻(Rsp)和柵極電荷(Qg)。
Trench MOS優(yōu)化了芯片的元胞設計和版圖布局,可以提高器件各個(gè)方向的電流均勻性,有效防止在極限工作下部分區域的提前失效,增強了產(chǎn)品功率密度和可靠性
同步整流Rectification MOSFET在開(kāi)關(guān)電源中用于提高電源的效率,它替代輸出整流二極管,利用其導通內阻低的特點(diǎn)彌補二極管導通損耗高的缺陷。
產(chǎn)品系列 | 產(chǎn)品型號 |
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DT | TSD120N10AT |
TSG120N10AT | |
TSP120N10AT | |
TSG048N10AT | |
Trench | TTP145N08A |
TTB145N08A | |
TMB140N08A | |
TMB140N10A |