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推薦系列
650V/700V Multi-EPI SJ MOS
產(chǎn)品優(yōu)勢
"基于革命性超結 (SJ) 原理設計，使用先進(jìn)的多次外延（Multi-EPI）工藝技術(shù)制造，擁有更優(yōu)的EMI特性，更容易通過(guò)安規認證；超低導通電阻和結電容，有效降低導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，效率高，發(fā)熱小，可以適應更高的開(kāi)關(guān)頻率；DFN超薄外形封裝，可應用于小體積PD快速充電器。 "
系統概述
反激是指反激高頻變壓器隔離輸入輸出回路的開(kāi)關(guān)電源，mos導通時(shí)，輸出變壓器充當電感，電能轉化為磁能，此時(shí)輸出回路無(wú)電流，相反，當mos關(guān)斷時(shí)，輸出變壓器釋放能量，磁能轉化為電能，輸出回路有電流。反激電路元器件少，電路簡(jiǎn)單成本低體積小可同時(shí)輸出多路互相隔離的電路。
系統原理圖
產(chǎn)品列表
| 產(chǎn)品系列 | 產(chǎn)品型號 |
|---|---|
| Multi-EPI SJ | TPG65R125MH |
| TPG65R175MH | |
| TPG65R280MH | |
| TPG65R360M | |
| TPG65R365MH | |
| TPG70R125MH | |
| TPG70R600M |
推薦系列
DT MOS/Trench MOS
產(chǎn)品優(yōu)勢
DT MOSFET是采用了具有降低表面電場(chǎng)(Reduced Surface) 原理的屏蔽柵（或稱(chēng)為分立柵）MOSFET技術(shù)(Shield/Split Gate ）的Trench MOSFET，從而降低器件的比導通電阻(Rsp)和柵極電荷(Qg)。
Trench MOS優(yōu)化了芯片的元胞設計和版圖布局，可以提高器件各個(gè)方向的電流均勻性，有效防止在極限工作下部分區域的提前失效，增強了產(chǎn)品功率密度和可靠性
系統概述
同步整流Rectification MOSFET在開(kāi)關(guān)電源中用于提高電源的效率，它替代輸出整流二極管，利用其導通內阻低的特點(diǎn)彌補二極管導通損耗高的缺陷。
系統原理圖
產(chǎn)品列表
| 產(chǎn)品系列 | 產(chǎn)品型號 |
|---|---|
| DT | TSD120N10AT |
| TSG120N10AT | |
| TSP120N10AT | |
| TSG048N10AT | |
| Trench | TTP145N08A |
| TTB145N08A | |
| TMB140N08A | |
| TMB140N10A |