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中低壓Trench MOS

紫光的中低壓功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管運(yùn)用先進(jìn)的Trench制程技術(shù)，具有較強(qiáng)的雪崩能力。

鋰電池保護(hù)電路中的控制IC實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電芯電壓和回路中的工作電流、電壓，通過(guò)控制MOS的開(kāi)關(guān)使得電芯正常充放電；當(dāng)電芯電壓或回路中的工作電流超過(guò)（或電壓低于）預(yù)設(shè)值時(shí)，IC將通過(guò)關(guān)斷MOS而切斷電芯充放電回路，以保證使用者及電芯的安全.

紫光的溝槽工藝（Trench）MOSFET具有較強(qiáng)的EAS能力，在鋰電池保護(hù)板應(yīng)用中展現(xiàn)出優(yōu)異抗短路沖擊能力；另外trench MOS還有低內(nèi)阻的特性，能夠減小電池充放電時(shí)的發(fā)熱量。