Trench MOS
Trench MOS這種新型垂直結(jié)構(gòu)器件在VDMOS的基礎(chǔ)上發(fā)展起來，和VDMOS相比，Trench MOS擁行更低的導通屯阻和柵漏電荷密度，因而擁行更低的導通和開義損耗及更快的開義速度。 同時由于Trench MOS的溝逍是垂直的， 故可進一步提高具溝逍密度， 減小芯片尺寸， 降低導通電阻。 ）并且具有MOS器件的一切優(yōu)點， 如： 開關(guān)速度快、 驅(qū)動功率小等。并聯(lián)的元胞具有負的溫度系數(shù)，有利于大電流和更寬的安全工作區(qū)的實現(xiàn)。
