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Trench MOS

Trench MOS這種新型垂直結(jié)構(gòu)器件在VDMOS的基礎(chǔ)上發(fā)展起來,和VDMOS相比,Trench MOS擁行更低的導(dǎo)通屯阻和柵漏電荷密度,因而擁行更低的導(dǎo)通和開義損耗及更快的開義速度。 同時由于Trench MOS的溝逍是垂直的, 故可進一步提高具溝逍密度, 減小芯片尺寸, 降低導(dǎo)通電阻。 )并且具有MOS器件的一切優(yōu)點, 如: 開關(guān)速度快、 驅(qū)動功率小等。并聯(lián)的元胞具有負的溫度系數(shù),有利于大電流和更寬的安全工作區(qū)的實現(xiàn)。

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